未来がいよいよ現実に。
量子コンピュータ時代の到来
高い専門性を保持する研究者が、信頼性の高い受託解析サービスをご提供
当サービスでは、理論計算を基にした材料シミュレーション受託解析を行っています。
お客様の具体的な計算目的や内容についてお伺いし、シミュレーションの専門家が物性予測などの計算を代行し、最適解を導き出します。計算化学を利用したシミュレーションのアウトソーシングや、テスト運用も提供しており、お客様のニーズに合わせたサービスをご利用いただけます。
計算が初めての方でも安心してご利用いただけるよう、分子構造や希望する解析内容をご提供いただければ、弊社の専門スタッフが最適な計算方法をご提案します。
お客様のメリット
高い専門性
材料計算には量子力学、統計力学、熱力学などの物理的・化学的知識が求められます。専門的な背景を持つ研究者の知見を活用できます。
コスト削減
弊社からの信頼性の高い計算結果が得られるため、専門家の雇用や計算に費やす時間を無くし、あるいは高性能計算機の導入をすることなく、コストを削減することが可能です。
最先端の手法を採用
弊社では材料計算や磁気シミュレーションの最先端の研究を続けています。単に計算結果を提供するだけでなく、結果の意味や有用性についての評価や解釈をします。
その他
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ワニエ関数
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ベリー曲率
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チャーン数
ナノ材料・低次元材料
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原子構造
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電子構造（状態密度、エネルギー準位）
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光学応答
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電気伝導度
地球・宇宙
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惑星内部高圧環境下の結晶構造
計測
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XRD
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XPS
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XANES
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EELS
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赤外分光
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ラマン分光
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ARPES
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STM
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AFM
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NMR
磁性材料・スピントロニクス
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磁気モーメント・飽和磁化
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磁気異方性エネルギー
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磁気構造（強磁性、反強磁性、ノンコリニア磁性）
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交換結合定数
創薬
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結合エネルギー
生物
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プロトン輸送
光学材料・レーザー
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複素誘電関数（反射率、屈折率、吸収）
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非線形光学定数
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強レーザー場応答（高次高調波、絶縁破壊、実時間電子ダイナミクス）
セラミックス
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弾性定数
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分極（強誘電性）
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圧電定数
電池
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平衡電位
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界面構造
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イオン伝導（拡散係数）
超伝導
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転移温度
金属
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凝集エネルギー
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脆化
触媒
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表面、分子吸着（構造、エネルギー）
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反応障壁・化学反応速度
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拡散障壁
高分子
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モノマー物性
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反応障壁
半導体
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電子バンド構造（バンドギャップ、有効質量）
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電子状態密度
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誘電率
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点欠陥（形成エネルギー、欠陥準位、超微細構造定数）
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表面・界面構造（エピタキシャル成長）
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拡散係数（不純物、点欠陥）
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仕事関数
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電子親和力
背景：
2次元層状物質（ファンデルワールス磁性体）におけるスキルミオン磁性相
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スピン磁気モーメントが渦巻き状に配向する特異な磁気秩序状態「スキルミオン磁性相」はスピントロニクスへの応用が期待されている。
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スキルミオン磁性相は、これまで中心対称性を持たない物質においてのみ報告されてきたが、今回はじめて中心対称性を持つ２次元的な層状物質におけるスキルミオン相の発現可能性に関するシミュレーションを、第一原理計算とモンテカルロシミュレーションを組み合わせたソフトウェア「Quloud-Mag」を用いて行った。
シミュレーション結果：
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２次元層状物質MX3（M=V,Cr,Mn; X=Cl,Br,I）の磁気感受率相図をシミュレーションにより再現（上図左）
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２次元層状物質MX3は、局所的に中心対称性が破れた構造を持つことに伴い、スキルミオン相発現の要因となる「ジャロシンスキー-守谷相互作用」の値がゼロではなく、有限値を持つことを発見
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磁気秩序シミュレーションを行ったところ、実際にスキルミオン相が発現することを確認（上図右および下図）
解析事例
２次元層状物質MX3（X=Cl）における磁気感受率相図（左） ２次元層状物質MX3（X=Cl）における磁気モーメント相図（右）
ジャロシンスキー-守谷相互作用が、２次元層状物質MX3（X=Cl）においてスキルミオン相を実現している（赤色矢印が下向きスピン成分、青色矢印が上向きスピン成分を表す）
背景：
SiC-MOSデバイスにおけるSiC/SiO2界面でのキャリア移動度に関する課題
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SiCは、高温、高電圧という厳しい環境下でも優れた特性を示すパワー半導体材料として注目されている。しかしデバイスを作成するためにSiC/SiO2界面を形成すると、チャネル伝導度がSiC単体の特性から期待されるよりも大幅に低下することが知られており、性能向上における大きな課題となっている。
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この課題の克服に向けた指針を得るため、Quloudで利用可能な第一原理計算エンジン「RSDFT」によるシミュレーションを用いた解析を行う。
シミュレーション結果：
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SiC/SiO2の界面原子モデルを作成し、さらに電場を印加した状況における第一原理計算を実行し、伝導帯下端付近における波動関数の空間分布を求める（上図）
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解析の結果、有効質量近似という半導体物理の常識ともいえる解析法から予想されるより、はるかに強く界面近傍の狭い範囲に局在していることがわかった
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界面近傍に波動関数が局在すると、界面の原子レベルの構造の乱れ等に大きな影響を受けると考えられ、これが散乱の増大ひいては移動度の低下という現象につながっていると予想される。
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SiC/SiO2界面付近の、界面から4nm程度までの領域のSiC層に窒素原子をドープしたモデルを「仮想結晶近似」に基づいて作成し、第一原理計算を実行した（下図）
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解析の結果、ドープ前よりも、電場印加時にキャリア密度が上昇し、さらにキャリア分布が界面から少し離れた場所にピークを持つようになることがわかった
ご利用の流れ
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お問い合わせ
下記"お問い合わせ"より、お気軽にご連絡下さい。
ヒアリング
解析経験豊富な弊社研究員がお客様のご要望とご意見を伺います。
見積仕様書の提出
最適な解析方法、手順をご提案し、納期、料金等を含めた見積仕様書を作成します。
ご発注
ご質問やご要望にお応えし、双方合意の上ご発注頂きます。
解析業務報告書の提出
解析結果とその評価や考察を報告書にまとめ納品いたします。
まずはご連絡ください。まず初めに面談を実施し、ご要望を伺います（訪問、オンラインどちらでも可）。面談の後、弊社から見積仕様書をお送りします。この見積仕様書には、解析の具体的な方法や手順、納期、費用などが記載されています。ご一読いただき、問題がなければご注文をお願いします。※見積仕様書の提出までは費用は発生しません。
ご相談可能です。初回面談時にヒアリングとディスカッションを行ない、問題解決の方法をご提案いたします。
弊社の研究員の稼働予定日数と、計算機の使用時間の合計をもとに、費用を算出いたします。
納品する計算結果については、現時点での最善の方法による計算が行われたことを保証します。仕様書と相違がある場合は、瑕疵として対応（再計算を含む）をいたします。ただし、計算結果が実験値と合致することを保証するものではありません。
個別の契約にもよりますが、数カ月程度のサポート期間を設け、Email等でのご質問にお答えいたします。
個別の契約にもよりますが、通常は、全てお客様の所有となります。法律的に著作権（財産権、人格権）は弊社に残ってしまいますが、弊社はその権利主張を致しません。
